原位加热芯片

有效期至长期有效	最后更新2023-04-12 14:03
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程序升温原位气体反应系统是在标准的样品台基础上搭建可视化NONA-LAB和四电极反馈控温模块，在透射电镜中实现样品的气氛环境皮米级高分辨成像和精准、均匀、安全控温，温度精度优于±0.1K，温度范围RT~1000℃，气压范围：低于2000mBar。
通过精确的热场模拟及独特的芯片设计，实现无漂移加热过程，可在加热升温过程中实现实时观测成像。原位气氛反应纳流控安全管理系统实现纳升级别流体引入，高效精确控制气体池中的流体的流速流量，**低为10nL/s，引入流体在极其微量级别，即使在芯片窗体薄膜破裂的情况下，也不会有大量气体渗漏，使得电镜的安全得以**，实验不受影响可持续进行。
技术参数：
适用极靴
ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP
适用电镜
FEI,JEOL,Hitachi
倾转角
静态α=±25°，流体α=±20°
安全性
**
(HR)EDS/EELS
|
(HR)TEM/STEM
|
加热电极数
4
加热均匀性
≥99.5%
温度精度
±0.1K
适用气氛
H2,He,N2,O2,Ar,H2O,CO,
CO2,CxHy...
压力范围
0~2000mBar
流道数
4
气体池厚度
100~200nm
窗口膜厚
10nm,25nm,50nm
适用样品
静态，流体
程序升温原位气体反应系统独特优势：
1.皮米级分辨率
a.超薄气夹层（100-200nm）
b.超薄氮化硅膜（可达10nm）
2.温控精确
a.四电极形成反馈控制系统，控温准
b.温度范围RT~1000℃，精度±0.1K
c.观测区域全覆盖，升温快且均匀，升温过程不漂移
3.安全性高
a.气体流道采用防腐设计
b.纳流控系统防渗漏
c.气体流速可控，z低10nL/s
应用领域：
1.化学领域：热催化、水汽重整、石油裂解、煤制油、合成氨
2.材料科学领：石墨烯及其他二维材料CVD生长
更多访问：
http://www.chip-nova.com.cn/SonList-1688744.html
https://www.chem17.com/st384871/erlist_1688744.html

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